近日，绍芯实验室团队提出了一种兼具低接触电阻与保形作用的复合金属电极策略，突破二维晶体管接触长度微缩瓶颈，晶体管中接触多晶硅间距全面微缩至60纳米，相当于一根头发丝的千分之一那么细。5月12日，该相关成果发表于国际顶级期刊《自然电子》（《Nature Electronics》）。

据介绍，二维晶体管采用仅有几个原子层厚度的二维材料作为通道，使得尺寸大幅缩小，而性能得到显著提升。二维晶体管的超薄特性意味着更低的能耗和更高的运行速度，这使得它在当今电子设备中具有极高的应用价值。绍芯实验室的这一工艺使得相关二维晶体管器件功能得到跨越式提升，在接近当前主流工艺物理极限的同时获得了“超节点”性能，能效比显著优于传统计算单元，符合2034年国际器件与系统路线图中“先进晶体管”的性能目标。

记者了解到，在全球半导体技术迅猛发展的浪潮中，晶体管作为核心元件，其性能的提升与技术的革新始终是推动行业进步的关键力量。硅基晶体管经过数十年发展，已形成高度成熟的产业生态与专利体系，但正面临物理极限与成本挑战，而二维半导体的崛起恰逢其时地提供了破局契机，两者彼此间将形成技术互补和延伸。在绍芯实验室团队取得新突破之前，国际上最高的二维半导体数字电路集成度仅为115个晶体管，由奥地利维也纳工业大学团队在2017年实现。

当前，二维晶体管正成为集成电路领域的热门赛道。在高性能计算领域，二维晶体管能够大幅提升计算机的运算速度和能效，推动人工智能、大数据分析等技术的快速发展；在5G通信领域，二维晶体管可以用于制造高性能的射频芯。在物联网领域，二维晶体管的低功耗特性能够满足大量物联网设备的能源需求，促进物联网产业的蓬勃发展。晶体管接触多晶硅间距作为衡量先进逻辑工艺节点的核心指标，正在重构芯片性能、功耗与集成度的三维博弈边界。国际上，以英特尔为代表的巨头企业也在该领域的研发上进行持续深耕。

“我们的这项研究成果不仅为实现二维晶体管尺寸和性能极限提供了新技术路径，更为后摩尔时代低功耗逻辑电路设计与实现提供了新范式。”绍芯实验室团队有关人士表示。

（内容来源：绍兴日报）